MT47H512M4EB-25E:C
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Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-25E:C
| Artikelnummer: | MT47H512M4EB-25E:C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Micron Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-25E:C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MT47H512M4EB-25E:C.Produkteigenschaften Eigenschaften Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 15ns Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V Technologie SDRAM - DDR2 Supplier Device-Gehäuse 60-FBGA (9x11.5) Serie - Verpackung / Gehäuse 60-TFBGA Paket Tray Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Speichertyp Volatile Speichergröße 2Gbit Speicherorganisation 512M x 4 Speicherschnittstelle Parallel Speicherformat DRAM Uhrfrequenz 400 MHz Grundproduktnummer MT47H512M4 Zugriffszeit 400 ps MT47H512M4EB-25E:C Einzelheiten PDF [English] MT47H512M4EB-25E:C PDF - EN.pdf -
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